GRM201은 낮은 전력 소비와 높은 펌핑 속도를 제공하는 200 m³/h 건식 진공 펌프입니다. 가연성, 폭발성 및 응축성 공정 가스를 안전하게 처리하여 PECVD, MOCVD 및 SIC-CVD 반도체 공정에 높은 신뢰성과 낮은 유지보수 비용으로 적합합니다.
| 매개변수 | 사양 |
|---|---|
| 펌핑 속도 | 200 m³/h |
| 최종 압력 | ≤0.5 Pa |
| 정격 전력 | 1.9 kW |
| 전압 | 380V 삼상 |
| 냉각수 압력 | 0.2-0.6 MPa |
| 냉각수 유량 | ≥3 L/min |
| 냉각수 온도 | 5-30 °C |
| 냉각수 연결 | G3/8 |
| N2 퍼지 압력 | 0.2-0.6 MPa |
| N2 퍼지 유량 | 12-50 L/min |
| N2 퍼지 연결 | G1/4 |
| 흡입구 연결 | ISO63 |
| 배출구 연결 | KF25 |
| 소음 수준 | ≤63 dB(A) |
| 작동 환경 | 5~40°C; ≤80% RH |
| 무게 | 150 kg |
| 치수 (L*W*H) | 741*344*466 mm |
로드록, 전송, 계측, 리소그래피
PVD 공정, PVD 사전 세척, RTA, 스트립/애싱, 산화물 에칭, 실리콘 에칭, 이온 주입 소스, 금속 에칭
HDP-CVD, RTP, SACVD, MOCVD, PECVD, LPCVD, ALD