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SUZHOU KACO VACUUM EQUIPMENT CO.,LTD. scorpiosyy@foxmail.com
GRH1202 1200 M³/H Dry Vacuum Pump For Semiconductor Photovoltaic

GRH1202 1200 M³/H Pompa per vuoto a secco per semiconduttori fotovoltaici

  • Evidenziare

    Pompa per vuoto a secco per semiconduttori

    ,

    Pompa per vuoto a secco da 1200 m³/h

    ,

    Pompa per vuoto a secco fotovoltaica

  • Tipo di pompa
    pompa a vuoto a secco
  • Velocità di pompaggio
    1200 m3/h
  • Pressione estrema
    ≤0,5 Pa
  • Tipo di motore
    Motore sincrono a magneti permanenti (PMSM)
  • Potenza nominale
    7,5+1,9KW
  • Voltaggio
    Trifase 380V
  • Temperatura dell'acqua di raffreddamento
    5-30 ° C.
  • Flusso dell'acqua di raffreddamento
    ≥4,7 l/min
  • Flusso di spurgo N2
    4-96 l/min
  • Connessione di ingresso
    ISO100
  • Connessione di uscita
    KF40
  • Livello di rumore
    ≤ 70 DB ((A)
  • Peso
    220 chilogrammi
  • Dimensioni (L × W × H)
    821×420×791 mm
  • Interfaccia di controllo
    I/O e RS485 (protocollo Modbus)
  • Sistema di tenuta
    Guarnizione a labbro + Guarnizione a labirinto con spurgo N2
  • Luogo di origine
    Cina
  • Marca
    GRH
  • Certificazione
    ISO 9001:2015, ISO 14001:2015, ISO 45001:2018
  • Numero di modello
    GRH1202
  • Quantità di ordine minimo
    1 set
  • Prezzo
    USD 8,000-12,000 / Set
  • Imballaggi particolari
    Custodia in compensato per esportazione con barriera contro l'umidità sigillata sotto vuoto e in
  • Tempi di consegna
    15-30 giorni lavorativi
  • Termini di pagamento
    T/T, L/C, Western Union
  • Capacità di alimentazione
    500 set al mese

GRH1202 1200 M³/H Pompa per vuoto a secco per semiconduttori fotovoltaici

Pompa per vuoto a secco GRH1202

La GRH1202 è una pompa per vuoto a secco da 1200 m³/h progettata per i processi di produzione di semiconduttori, fotovoltaico e batterie al litio. È dotata di una camera di pompaggio completamente priva di olio, un ingombro ridotto e un basso consumo energetico, offrendo prestazioni affidabili con un basso costo totale di proprietà.

Caratteristiche principali

  • Motore sincrono a magneti permanenti — Offre un'efficienza energetica superiore e un minor consumo di energia rispetto ai motori a induzione convenzionali.
  • Struttura avanzata del rotore — Capacità di estrazione della polvere migliorata, che rende la pompa altamente tollerante ai gas di processo carichi di particolato.
  • Tollerante a polvere e vapore acqueo — Insensibile alla polvere e al vapore acqueo trascinati nel flusso di gas pompato.
  • Design compatto e integrato — Ingombro ridotto con elevata integrazione di sistema per una facile installazione in ambienti di fabbrica affollati.
  • Protezione completa — Funzioni di protezione integrate con forte capacità adattiva per condizioni di processo variabili.
  • Bassa vibrazione e rumore — Funziona a ≤70 dB(A) alla pressione limite per un ambiente di lavoro più silenzioso.
  • Sistema di tenuta avanzato — La tenuta a labbro e la tenuta a labirinto combinate con la purga di azoto prevengono efficacemente il riflusso di olio, garantendo un'elevata pulizia del vuoto nella camera di processo.
  • Controllo e monitoraggio remoto — Supporta l'interfaccia I/O e la comunicazione RS485 (protocollo Modbus) per una perfetta integrazione nei sistemi di automazione di fabbrica.

Specifiche tecniche

Parametro Specifiche
Velocità di pompaggio 1200 m³/h
Pressione limite ≤0,5 Pa
Potenza nominale 7,5+1,9 kW
Tensione 380V trifase
Pressione acqua di raffreddamento 0,1-0,6 MPa
Portata acqua di raffreddamento ≥4,7 L/min
Temperatura acqua di raffreddamento 5-30 °C
Attacco acqua di raffreddamento G3/8
Pressione di spurgo N2 0,2-0,6 MPa
Flusso di spurgo N2 4-96 L/min
Attacco di spurgo N2 G1/4
Attacco di ingresso ISO100
Attacco di uscita KF40
Livello di rumore ≤70 dB(A)
Ambiente operativo 5~40°C; ≤80% RH
Peso 220 kg
Dimensioni (L*P*A) 821*420*791 mm

Processi di applicazione

Processi puliti

Load-Lock, Trasferimento, Metrologia, Litografia

Processi medi

Processo PVD, Pre-pulizia PVD, RTA, Strip/Ashing, Etch ossido, Etch silicio, Sorgente di impianto, Etch metallo

Processi aggressivi

HDP-CVD, RTP, SACVD, MOCVD, PECVD, LPCVD, ALD

Settori di destinazione

  • Semiconduttori: Etching, impianto ionico, CVD e altre applicazioni di processo pulite, medie e aggressive.
  • Fotovoltaico: Forni di crescita cristalli, processi di produzione di celle.
  • Batterie al litio: Essiccazione sottovuoto delle celle, riempimento di elettroliti e processi di degasaggio.
  • Display a schermo piatto e LED: Processi di produzione che richiedono ambienti sottovuoto ad alta pulizia.