GRM1201 1200 M³/H ISO160 KF25 Pompe à vide sèche pour semi-conducteurs PV
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Pompe à vide sèche pour semi-conducteurs PV
,Pompe à vide sec 1200 m³/h
,Pompe à vide sèche ISO160 KF25
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Type de pompepompe à vide sèche
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Vitesse de pompage1200 m3/h
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Pression ultime≤0,15 Pa
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Type de moteurMoteur synchrone à aimant permanent (PMSM)
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Puissance nominale1,9+1,9 kW
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Tension380V triphasé
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Température de l'eau de refroidissement5-30 ° C
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Débit d'eau de refroidissement≥4 L/min
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Débit de purge N212-50 L/min
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Connexion d'entréeISO160
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Connexion de sortieKF25
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Niveau de bruit≤63 dB(A)
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Poids260 kg
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Dimensions (L × W × H)865×344×751 millimètres
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Interface de contrôleE/S et RS485 (protocole Modbus)
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Système d'étanchéitéJoint à lèvres + joint labyrinthe avec purge N2
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Compatibilité gazGaz de procédé inflammables, explosifs et condensables
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Lieu d'origineChine
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Nom de marqueGRM
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CertificationISO 9001:2015, ISO 14001:2015, ISO 45001:2018
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Numéro de modèleGRM1201
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Quantité de commande min1 ensemble
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PrixUSD 13,000-20,000 / Set
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Détails d'emballageBoîtier en contreplaqué de qualité export avec barrière contre l'humidité scellée sous vide et i
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Délai de livraison15-30 jours ouvrables
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Conditions de paiementT/T, LC, Western Union
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Capacité d'approvisionnement300 ensembles par mois
GRM1201 1200 M³/H ISO160 KF25 Pompe à vide sèche pour semi-conducteurs PV
Pompe à vide sec GRM1201
La GRM1201 est une pompe à vide sec de 1200 m³/h avec une faible consommation d'énergie et une vitesse de pompage élevée pour les applications à grand volume d'échappement. Elle traite les gaz de procédé inflammables, explosifs et condensables, conçue pour les procédés exigeants PECVD, MOCVD et SIC-CVD.
Caractéristiques principales
- Moteur synchrone à aimant permanent — Offre une efficacité énergétique supérieure avec une faible consommation d'énergie leader de l'industrie.
- Structure de rotor avancée — La capacité d'extraction de poussière améliorée assure un fonctionnement fiable dans les environnements de procédé riches en particules.
- Tolérant à la poussière et à la vapeur d'eau — Insensible à la poussière et à la vapeur d'eau entraînées dans le flux de gaz pompé.
- Conception compacte et intégrée — Petit encombrement avec une intégration système élevée pour une installation facile dans des environnements de salle blanche encombrés.
- Protection complète — Fonctions de protection intégrées avec une forte capacité d'adaptation aux conditions de procédé variables.
- Faibles vibrations et bruit — Fonctionne à ≤63 dB(A) à pression ultime pour un environnement de travail plus silencieux.
- Système d'étanchéité avancé — Le joint à lèvre et le joint labyrinthe combinés à une purge à l'azote empêchent efficacement le reflux d'huile, maintenant une propreté de vide élevée dans la chambre de procédé.
- Contrôle et surveillance à distance — Prend en charge l'interface E/S et la communication RS485 (protocole Modbus) pour une intégration transparente dans les systèmes d'automatisation d'usine.
- Compatible avec les gaz dangereux — Fonctionnement sûr avec les gaz de procédé inflammables, explosifs et condensables.
Spécifications techniques
| Paramètre | Spécification |
|---|---|
| Vitesse de pompage | 1200 m³/h |
| Pression ultime | ≤0,15 Pa |
| Puissance nominale | 1,9+1,9 kW |
| Tension | 380V triphasé |
| Pression d'eau de refroidissement | 0,2-0,6 MPa |
| Débit d'eau de refroidissement | ≥4 L/min |
| Température de l'eau de refroidissement | 5-30 °C |
| Raccord d'eau de refroidissement | G3/8 |
| Pression de purge N2 | 0,2-0,6 MPa |
| Débit de purge N2 | 12-50 L/min |
| Raccord de purge N2 | G1/4 |
| Raccord d'entrée | ISO160 |
| Raccord de sortie | KF25 |
| Niveau sonore | ≤63 dB(A) |
| Environnement d'exploitation | 5~40°C ; ≤80% HR |
| Poids | 260 kg |
| Dimensions (L*l*H) | 865*344*751 mm |
Procédés d'application
Procédés propres
Charge-Lock, Transfert, Métrologie, Lithographie
Procédés moyens
Procédé PVD, pré-nettoyage PVD, RTA, Stripping/Ashing, gravure d'oxyde, gravure de silicium, source d'implantation, gravure de métal
Procédés difficiles
HDP-CVD, RTP, SACVD, MOCVD, PECVD, LPCVD, ALD
Industries cibles
- Semi-conducteurs : Applications de procédés propres/moyens/difficiles de gravure, d'implantation ionique, de CVD, de PECVD, de MOCVD et de SIC-CVD.
- Photovoltaïque : Fours de croissance cristalline, procédés de fabrication de cellules.
- Batterie au lithium : Procédés de séchage sous vide de cellules, de remplissage d'électrolyte et de dégazage.
- Écrans plats et LED : Procédés de fabrication nécessitant des environnements sous vide de haute propreté.
Produits connexes
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