-
Menyoroti
Pompa vakum kering PV semikonduktor
,Pompa vakum kering 1200 m3/h
,ISO160 KF25 pompa vakum kering
-
Tipe PompaPompa vakum kering
-
Kecepatan Pemompaan1200 m³/jam
-
Tekanan Tertinggi≤0,15 Pa
-
Tipe MotorMotor Sinkron Magnet Permanen (PMSM)
-
Nilai Daya1,9+1,9kW
-
Voltase380V tiga fase
-
Suhu air pendingin5-30 ° C.
-
Aliran Air Pendingin≥4 liter/menit
-
Aliran Pembersihan N212-50 liter/menit
-
Koneksi Saluran MasukISO160
-
Koneksi outletKF25
-
Tingkat Kebisingan≤63dB(A)
-
Berat260 kg
-
Dimensi (P×L×T)865×344×751mm
-
Antarmuka KontrolI/O dan RS485 (Protokol Modbus)
-
Sistem penyegelanSegel Bibir + Segel Labirin dengan N2 Purge
-
Kompatibilitas GasGas proses yang mudah terbakar, meledak, dan dapat terkondensasi
-
Tempat asalCina
-
Nama merekGRM
-
SertifikasiISO 9001:2015, ISO 14001:2015, ISO 45001:2018
-
Nomor modelGRM1201
-
Kuantitas min Order1 set
-
HargaUSD 13,000-20,000 / Set
-
Kemasan rincianKotak kayu lapis kelas ekspor dengan penghalang kelembapan bersegel vakum dan sisipan busa tahan gun
-
Waktu pengiriman15-30 hari kerja
-
Syarat-syarat pembayaranT/T, L/C, Western Union
-
Menyediakan kemampuan300 set per bulan
GRM1201 1200 M3/H ISO160 KF25 Pompa Kering Untuk PV Semikonduktor
GRM1201 Pompa vakum kering
GRM1201 adalah pompa vakum kering 1200 m3/h dengan konsumsi daya rendah dan kecepatan pompa tinggi untuk aplikasi volume knalpot besar.dirancang untuk menuntut PECVD, MOCVD, dan proses SIC-CVD.
Fitur Utama
- Motor Sinkron Magnetik Permanen memberikan efisiensi energi yang unggul dengan konsumsi daya rendah yang terkemuka di industri.
- Struktur Rotor Canggih Kemampuan ekstraksi debu yang ditingkatkan memastikan operasi yang dapat diandalkan di lingkungan proses yang berat partikel.
- Toleransi debu dan uap airTidak sensitif terhadap debu dan uap air yang masuk ke aliran gas yang dipompa.
- Desain Kompak dan Terintegrasi¢ Jarak kecil dengan integrasi sistem yang tinggi untuk pemasangan mudah di lingkungan pabrik yang ramai.
- Perlindungan yang KomprehensifFungsi perlindungan bawaan dengan kemampuan adaptasi yang kuat untuk kondisi proses yang bervariasi.
- Getaran dan Kebisingan Rendah️ Bekerja pada ≤63 dB (A) pada tekanan akhir untuk tempat kerja yang lebih tenang.
- Sistem Segel LanjutanPenutup bibir dan penutup labirin dikombinasikan dengan pembersihan nitrogen secara efektif mencegah aliran balik minyak, menjaga kebersihan vakum yang tinggi di ruang proses.
- Kontrol dan Pemantauan Jarak JauhMendukung antarmuka I/O dan komunikasi RS485 (protokol Modbus) untuk integrasi yang mulus ke dalam sistem otomatisasi pabrik.
- Kompatibel dengan Gas Berbahaya¢ Operasi yang aman dengan gas proses yang mudah terbakar, eksplosif, dan terkondensasi.
Spesifikasi Teknis
| Parameter | Spesifikasi |
|---|---|
| Kecepatan Pompa | 1200 m3/jam |
| Tekanan Terakhir | ≤ 0,15 Pa |
| Kekuatan nominal | 10,9 + 1,9 kW |
| Tegangan | 380V Tiga Fase |
| Tekanan Air Pendingin | 0.2-0.6 MPa |
| Aliran Air Pendingin | ≥4 L/min |
| Suhu air pendingin | 5-30 °C |
| Koneksi Air Pendingin | G3/8 |
| Tekanan pemurnian N2 | 0.2-0.6 MPa |
| Aliran Pembersihan N2 | 12-50 L/menit |
| N2 Pembersih Sambungan | G1/4 |
| Koneksi Inlet | ISO160 |
| Koneksi outlet | KF25 |
| Tingkat Kebisingan | ≤ 63 dB (A) |
| Lingkungan Operasi | 5~40°C; ≤80% RH |
| Berat badan | 260 kg |
| Dimensi (L*W*H) | 865*344*751 mm |
Proses Aplikasi
Proses Bersih
Load-Lock, Transfer, Metrologi, Litografi
Proses Medium
Proses PVD, Pra-Pembersihan PVD, RTA, Strip/Ashing, Etch Oxide, Etch Silicon, Sumber Implan, Etch Metal
Proses yang Kekerasan
HDP-CVD, RTP, SACVD, MOCVD, PECVD, LPCVD, ALD
Industri sasaran
- Semikonduktor:Etching, implantasi ion, CVD, PECVD, MOCVD, dan SIC-CVD aplikasi proses bersih / menengah / keras.
- Fotovoltaik:Tungku pertumbuhan kristal, proses pembuatan sel.
- Baterai lithium:Proses pengeringan vakum sel, pengisian elektrolit, dan penguras gas.
- Flat Panel Display & LED:Proses manufaktur yang membutuhkan lingkungan vakum dengan kebersihan tinggi.
Produk-produk terkait
Produk kami dijual di seluruh dunia. Anda dapat yakin dengan seluruh proses produk kami.
